Wir gratulieren Herrn Apl. Prof. Dr. Yuri Genenko

Seit einem Vierteljahrhundert bist Du an der TU Darmstadt! Wir sind stolz auf Dich und gratulieren Dir herzlichst zum 25 jährigen Jubiläum. Du bist ein toller, kompetenter und jung gebliebener Kollege. Wir freuen uns, Dich in unserem Team zu haben und stoßen gemeinsam auf Dich an.

Herzlichen Glückwunsch an Linus Erhard !

Linus Erhard hat seine Doktorarbeit mit dem Titel „Atomistic Modelling of Structure Formation and Phase Transitions in Si-Ox Compounds using Machine-Learning Interatomic Potentials“ in einer öffentlichen Veranstaltung am Montag, den 02.09.2024, mit summa cum laude verteidigt. Herzlichen Glückwunsch Linus ! An dieser Stelle möchten wir uns nicht nur für die schönen Feierlichkeiten im Nachgang bedanken, sondern auch für die bisherige gute Zusammenarbeit. Wir freuen uns, dass Linus uns zumindest noch die nächsten Monate erhalten bleibt.

Herzllichen Glückwunsch an Lorenzo Villa !

Lorenzo Villa hat seine Doktorarbeit mit dem Titel „Auswirkungen von Dotierung auf das Fermi-Niveau in bleifreien Antiferroelektrika“ in einer öffentlichen Veranstaltung am Mittwoch, den 26. Juli, erfolgreich verteidigt. Herzlichen Glückwunsch Lorenzo! Am nächsten Tag, nach einer „italienischen“ Pizza-Party, war er schon wieder imstande, seine Arbeit für den CRC Flair fortzusetzen!

Mitglieder des FG Materialmodellierung und des MPIE finden die Ursache

Atomistische Computersimulationen erklären die ruckartige Versetzungsbewegung in Hochentropielegierungen ohne Nahordnung. Der zugrunde liegende Mechanismus ist direkt mit lokalen Schwankungen in Peierls (Kraft/Reibung)-Barrieren verbunden, die zu Haltepunkten in konzentrierten Mischkristallenführen. Die Quantifizierung der Reibungskräfte bietet prädiktive Entwurfsrichtlinien, um das Versetzungs-Pinning in HEAs maßzuschneidern.

Zwischenbänder in Solarzellen?

Die Zwischenband-Photovoltaik in der Solarzellenforschung bietet Methoden zum Überschreiten der Shockley-Queisser-Grenze für den Wirkungsgrad einer Zelle. Dazu wird ein Zwischenband-Energieniveau zwischen dem Valenz- und dem Leitungsband eingeführt. Eine aktuelle Untersuchung zeigt, dass Vanadium in alpha-Indiumsulfid bei geringen Konzentrationen ein leers Zwischenband ausbildet.

Wie sich Defekte auf antiferroelektrische Schleifen auswirken

Wir stellen eine Methode vor, die es ermöglicht, die Ladungsneutralitätsbedingung zu lösen, wobei das Einfrieren von Defekten und Dotanden berücksichtigt werden, ohne die Abhängigkeit ihres Ladungszustands vom elektronenchemischen Potential und der Temperatur zu vernachlässigen.

Fermi Level Engineering von Antiferroelektrika

Das antiferroelektrische NaNbO3 ist ein Kandidatl für die Anwendung in dielektrischen Kondensatoren mit hoher Energiedichte. Mit verschiedenen Dotierungsstrategien versuch man, das gewünschte hysteresarme Polarisationsverhalten in diesem bleifreien Material einzustellen. Kontrolliertes Dotieren erfordert jedoch ein detailliertes Verständnis der Physik intrinsischer Defekte.

Machine-Learning Interatomares Potential für Siliziumdioxid

Siliziumdioxid (SiO2) ist ein reichlich vorhandenes Material mit einem breiten Anwendungsbereich. Trotz vieler Fortschritte ist die atomistische Modellierung der verschiedenen Polytypen eine Herausforderung geblieben. Hier zeigen wir, dass durch die Kombination der Dichtefunktionaltheorie auf der SCAN-Funktionsebene mit der auf maschinellem Lernen basierenden interatomaren Potentialanpassung eine Reihe von kondensierten Phasen von SiO2 genau beschrieben werden kann.

Eine Untersuchung zur Bildung und Wanderung von Polaronen

Die Dissoziation kurzlebiger Exzitonen führt zu freien Elektronen und Löchern. Wenn diese mit der Bewegung von Kernen koppeln, werden die freien Ladungen an einem Gitterplatz eingefangen und es bilden sich Polaronen. Aufgrund der Beteiligung von Gitterverzerrungen an der Bildung von Polaronen übersteigt ihre Lebensdauer die von Exzitonen. In dieser Studie wird die Bildung und Migration von Polaronen in PbTiO3 behandelt.