Neues aus dem Fachgebiet Materialmodellierung

Mitglieder des FG Materialmodellierung und des MPIE finden die Ursache

Atomistische Computersimulationen erklären die ruckartige Versetzungsbewegung in Hochentropielegierungen ohne Nahordnung. Der zugrunde liegende Mechanismus ist direkt mit lokalen Schwankungen in Peierls (Kraft/Reibung)-Barrieren verbunden, die zu Haltepunkten in konzentrierten Mischkristallenführen. Die Quantifizierung der Reibungskräfte bietet prädiktive Entwurfsrichtlinien, um das Versetzungs-Pinning in HEAs maßzuschneidern.

Zwischenbänder in Solarzellen?

Die Zwischenband-Photovoltaik in der Solarzellenforschung bietet Methoden zum Überschreiten der Shockley-Queisser-Grenze für den Wirkungsgrad einer Zelle. Dazu wird ein Zwischenband-Energieniveau zwischen dem Valenz- und dem Leitungsband eingeführt. Eine aktuelle Untersuchung zeigt, dass Vanadium in alpha-Indiumsulfid bei geringen Konzentrationen ein leers Zwischenband ausbildet.