Fortschrittliche (S)TEM- und In-Silico-Untersuchungen von MIM-Heterostrukturen auf Oxidbasis
Projektmitglieder:
Tianshu Jiang (Doktoranden), Leopoldo Molina-Luna (PI)
Beschreibung:
Die Grenzflächentechnik auf atomarer Ebene bietet Möglichkeiten zur Optimierung der elektrischen Eigenschaften von abstimmbaren oxidbasierten Metall-Isolator-Metall (MIM)-Heterostrukturen.
Beispielsweise werden derzeit die Grenzflächen zwischen verschiedenen unteren Scandat-Elektroden, einer SrTiO3-Pufferschicht (STO) und einer hochleitenden SrMoO3-Schicht (SMO) mit Hilfe einer Reihe neuartiger elektronenmikroskopischer Techniken wie HAADF-STEM, ABF-STEM, 4D-STEM und auf maschinellem Lernen basierender Modellierung untersucht.
Auf diese Weise wollen wir Struktur-Eigenschafts-Korrelationen erhalten, um die atomare Struktur (Defekte, Dehnung und lokale Gitterverzerrungen) direkt mit den makroskopischen elektrischen Eigenschaften zu verknüpfen.
