Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) research grant MO 3010/3-1 Operando investigation of resistive switching in electron transparent lamellae of HfOx based RRAM devices
Resistive Random Access Memory (RRAM)-Schalter, auch Memristoren genannt, sind vielversprechende Kandidaten für schnelle nichtflüchtige Speicher. Unter den Übergangsmetalloxiden, die als Funktionsmaterial dienen, haben HfOx und TaOx aufgrund ihrer Leistung und nachgewiesenen Kompatibilität mit der komplementären Metalloxid-Halbleiter-Technologie (CMOS) großes Interesse geweckt. Trotz der enormen Arbeit, die in diesem Forschungsbereich geleistet wurde, wird ein atomistisches Verständnis des Schaltprozesses immer noch viel diskutiert. Es ist ein bisher unerfüllter Traum vieler Wissenschaftler auf diesem Gebiet, die strukturellen und elektronischen Veränderungen in den Funktionsmaterialien, die in den verschiedenen Phasen des Schaltvorgangs (Bildung, Setzen und Zurücksetzen) auftreten, direkt mit atomarer Auflösung zu untersuchen. Auf der Grundlage unseres erst kürzlich etablierten Verfahrens zur in-situ-Kontaktierung und zum Betrieb eines elektronentransparenten fokussierten Ionenstrahls (FIB), der aus einer RRAM-Struktur in Lamellen geschnitten wurde, sind wir nun in der Lage, eine bisher nicht mögliche Reihe von Experimenten vorzuschlagen.
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