Das diesjährige Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS) fand Ende Oktober in der schönen Stadt Durham in North Carolina statt.

Das NVMTS ist ein großes Forum für Forscher und Anwender aus der Industrie und der Wissenschaft, um über den neuesten Stand der nichtflüchtigen Speicher zu diskutieren und sich auf die kommenden Herausforderungen vorzubereiten.

Lambert Alff aus der ATFT-Gruppe hielt einen eingeladenen Vortrag über „Oxygen and grain boundary engineered HfO_x based resistive memory“. Nichtflüchtige Speicher werden eine entscheidende Rolle in der energieeffizienten Computertechnik der Zukunft spielen.