In eurer Abschlussarbeit oder im ARL lernt ihr die Abscheidung dünner Schichten und die Analyse der elektronischen Struktur von Materialien und deren Grenzflächen mittels Photoelektronenspektroskopie oder fortgeschrittener elektrischer Leitfähigkeitsanalyse kennen. Der Schwerpunkt auf den verschiedenen Techniken hängt vom jeweiligen Thema ab. Für Masterarbeiten und ARLs werden Kenntnisse über die Inhalte der Vorlesung „Semiconductor Interfaces“ empfohlen.
- Grenzen von Cu-Oxiden für Solarzellenanwendungen,
- In-Operando Hall-Effekt-Messung von ITO-Elektroden in einer elektrochemischen Zelle,
- Bestimmung von Defektenergieniveaus in Dielektrika mit hoher Permittivität,
- Einfluss der Elektroden auf die Widerstandsdegradation von Dielektrika mit hoher Permittivität,
- Transporteigenschaften von NiO-Dünnschichten,
- Fermi-Energie in (La,Sr)FeO3-x,
- Analyse der Fermi-Energie in BiFeO3,
- Modulationsdotierung von In2O3,
- Leitfähigkeitsverbesserung von ITO-Dünnschichten durch Hämatit-Keimschichten.
