Dünnschicht-Abscheidung

Für die Dünnschichtpräparation und Oberflächenanalyse verwenden wir das integrierte Ultrahochvakuum-System DAISY-MAT.

Die Anlage verfügt über 3 Kammern mit je 4 Kathoden zur Magnetron-Kathodenzerstäubung, eine Kammer zum Co-Sputtern, eine Kammer zum thermischen Verdampfen und zur chemischen Gasphasenabscheidung und eine Kammer zur Atomlagenabscheidung. Unsere maximale Substratgröße beträgt 2x2 cm2.

Wir können dünne Schichten mit einer Dicke von unter 1 nm bis zu etwa 2 µm herstellen. Weiterhin ist die Magnetron-Kathodenzerstäubung mit 2"-Kathoden, sowie Radiofrequenz-, Gleichstrom- und gepulster Gleichstromanregung, variablem Target-zu-Substrat-Abstand und variabler Gaszusammensetzung und Druck möglich. Die Substrate können während der Abscheidung mit Halogenlampen auf bis zu 700 °C erhitzt werden. Wir haben umfangreiche Erfahrung in der Metalloxidabscheidung.

Zu den verwendeten Materialien gehören:

  • Metalle: Pt, Ru, Al, Cu, Ag, Au, Sn
  • n-Leiter: ZnO(:Al), SnO2(:Ta,Sb,Nb) and In2O3(:Sn,Ge,Mo,Ti,Zr,H)
  • p-Leiter: Cu2O, CuO, NiO
  • Dielektrische Oxide: SrTiO3, BaTiO3(:Nb,Mn) und (Ba,Sr)TiO3(:Fe)
  • Ionenleiter: CeO2(:Gd,Nb), (La,Sr)MnO3, (La,Sr)FeO3
  • weitere binäre Oxide: Fe2O3, Co3O4, Bi2 O3, ZrO2, TiO2
  • Nitride und Oxynitride: TiN, Sn2N2O

Wir verwenden kommerzielle und selbstgebaute Effusionszellen für die thermische Verdampfung von verschiedenen Metallen und Verbindungen.

Zu den verwendeten Materialien gehören:

  • Metalle: Cu, Ag, Au
  • Organische Moleküle
  • Chalkogenide: CdS, CdTe, ZnSe, ZnS, …

Die Kammer wurde auch für die chemische Gasphasenabscheidung von TiO2 mit Single-Source-Precursoren verwendet. Unser System umfasst auch eine kundenspezifische Niederdruck-Atomlagenabscheidungskammer, die wir für die Herstellung von Al2O3-Schichten aus TMA und H2O verwenden.