Mithilfe der MBE-Kammer lassen sich dünne Schichten durch Molekular-Strahl-Epitaxie herstellen und mit Reflektions-Hochenergie-Elektronenbeugung (Reflection of High Energy Electron Diffraction, RHEED) insitu untersuchen. Zudem ist es möglich mithilfe eines Elektronenstrahlheizers die Probe auf über 1200 °C zu erhitzen. Der durch Ionen-Getter-Pumpen und einen Titansublimator erreichte Basisdruck der Kammer beträgt 5 x 10-11 torr. Proben können mithilfe der Transferkammer ohne das Vakuum der Hauptkammer zu unterbrechen eingeschleust werden. Außerdem ist es möglich eine Probe in einer transportablen mini-UHV-Kammer ohne das Vakuum zu unterbrechen in einem Diffraktometer bei unterschiedlichen Temperaturen zu untersuchen.
RF Magnetron Sputteranlage zur Abscheidung epitaktischer Schichten
Materialien: Oxide, Metalle
Leistung: bis 150 W
Substrattemperatur: 20 – 650 °C
Basisdruck: 8 x 10-9 torr
Arbeitsdruck: 1 – 50 mTorr (Ar, Ar/O2, …)
Nach der Abscheidung können die Schichten mithilfe von LEED (Low-Energy Electron Diffraction) und Augerelektronenspektroskopie charakterisiert werden. Der Transfer in die Analysekammer erfolgt im UHV.
OMICRON variable Temperatur STM mit Verdampfer Quelle
Temperatur bis 3500 °C
Probengröße bis 20 g
3D Drucker für Kristallographische Modelle
