Oxid-MBE
Die weltweit neueste Generation der MBE für komplexe Materialien
Molekularstrahlepitaxie (MBE) ist eine Dünnschichtmethode mit ultimativer atomarer Präzision, die in der Halbleitertechnologie entwickelt wurde. Wir entwickeln neue MBE-Systeme, um das Materialspektrum deutlich zu erweitern. Unsere Oxid-MBE (ADOMBE) erlaubt die atomlagenweise Abscheidung von dünnen Schichten und Schichtsystemen mit höchster Kontrolle. Weltweit einzigartig ist die Vakuumverbindung mit einem System zur gepulsten Laserdeposition (PLD) und einem Ionenstrahlätzsystem. Unsere Absolventinnen und Absolventen haben neben ihrer hochaktuellen fachlichen Expertise immer auch die wertvolle Kompetenz moderne Dünnschichtsysteme zu entwickeln.
Gepulste Laserdeposition (PLD)
Materialsynthese von komplexen Oxiden und ihren Heterostrukturen mittels Hochleistungslaserpulsen
Unsere drei Systeme zur gepulsten Laserdeposition sind selbst entwickelt und definieren den neuesten Stand der Technik. Unsere Spezialität sind oxidische Heterostrukturen aus neuartigen Materialien, um Modellbauteile für die Mikroelektronik oder Energiekonversion herzustellen. PLD eignet sich besonders gut, um komplexe Materialzusammensetzungen stöchiometrisch auf die dünnen Schichten zu übertragen. Schon während des Wachstums der Schichten, beobachten wir mit hochenergetischen Elektronen die Kristallqualität der Oberflächen und überwachen den Wachstumsmodus.